Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2014, том 40, выпуск 16, страницы 65–72 (Mi pjtf8236)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур

К. Д. Мынбаевabc, Н. Л. Баженовabc, М. В. Якушевabc, Д. В. Маринabc, В. С. Варавинabc, Ю. Г. Сидоровabc, С. А. Дворецкийabc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Томский государственный университет
PDF полного текста (140 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Методом фотолюминесценции исследована дефектно-примесная структура гетероэпитаксиальных слоев Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te/Si (0.35 $<x<$ 0.39), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией для создания $p^+$–$n$-переходов ионной имплантацией мышьяка. Показано, что полной реализации возможностей фотодиодных структур "$p^+$–на–$n$" на основе CdHgTe/Si препятствует неконтролируемое легирование материала, приводящее к формированию как мелких (с энергией залегания $\sim$ 10 meV), так и глубоких ($\sim$ 50 meV) акцепторных уровней.
Поступила в редакцию: 05.03.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2014, Volume 40, Issue 8, Pages 708–711
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785014080239
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, “Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур”, Письма в ЖТФ, 40:16 (2014), 65–72; Tech. Phys. Lett., 40:8 (2014), 708–711
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MynBazYak14}
\by К.~Д.~Мынбаев, Н.~Л.~Баженов, М.~В.~Якушев, Д.~В.~Марин, В.~С.~Варавин, Ю.~Г.~Сидоров, С.~А.~Дворецкий
\paper Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$--$n$-фотодиодных структур
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2014
\vol 40
\issue 16
\pages 65--72
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8236}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22019630}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2014
\vol 40
\issue 8
\pages 708--711
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785014080239}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8236
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v40/i16/p65
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025