Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2014, том 40, выпуск 19, страницы 18–26 (Mi pjtf8271)  
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл–диэлектрик–полупроводник

С. В. Тиховa, О. Н. Горшковb, И. Н. Антоновb, А. П. Касаткинa, М. Н. Коряжкинаa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (428 kB) Список цитирования (10)
Аннотация: На примере структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе GaAs со стабилизированным (оксидом иттрия) диоксидом циркония, проявляющих эффект резистивной памяти, показана возможность контроля происходящих при формовке явлений как в диэлектрике, так и на границе раздела диэлектрик–полупроводник и в полупроводнике путем измерения отклика полупроводника.
Поступила в редакцию: 30.04.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2014, Volume 40, Issue 10, Pages 837–840
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785014100137
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, М. Н. Коряжкина, “Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл–диэлектрик–полупроводник”, Письма в ЖТФ, 40:19 (2014), 18–26; Tech. Phys. Lett., 40:10 (2014), 837–840
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TikGorAnt14}
\by С.~В.~Тихов, О.~Н.~Горшков, И.~Н.~Антонов, А.~П.~Касаткин, М.~Н.~Коряжкина
\paper Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл--диэлектрик--полупроводник
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2014
\vol 40
\issue 19
\pages 18--26
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8271}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22019667}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2014
\vol 40
\issue 10
\pages 837--840
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785014100137}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8271
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v40/i19/p18
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025