Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2014, том 40, выпуск 20, страницы 47–53 (Mi pjtf8289)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Разработка подхода формирования эпитаксиальных структур YBa$_2$Cu$_3$O$_x$–интерслой–YBa$_2$Cu$_3$O$_x$ с высокой токонесущей способностью

М. Я. Черных, И. А. Черных, Т. С. Крылова, Р. И. Шайнуров, Е. П. Красноперов, М. Л. Занавескин

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
PDF полного текста (558 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: Предложен подход, основанный на формировании многослойных эпитаксиальных структур YBa$_2$Cu$_3$O$_x$–интерслой–YBa$_2$Cu$_3$O$_x$. Применение интерслоев более простых кубических оксидов SrTiO$_3$ и CeO$_2$ позволяет останавливать рост кристаллических дефектов при формировании ВТСП слоя. Обнаружен эффект перетекания тока через интерслои толщиной 10–50 nm. Применение данного подхода позволяет увеличивать токонесущую способность кратно числу ВТСП слоев. Предложенный подход принципиально решает проблему деградации критической плотности тока с толщиной слоя YBa$_2$Cu$_3$O$_x$.
Поступила в редакцию: 03.06.2014
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2014, Volume 40, Issue 10, Pages 905–908
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785014100204
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Я. Черных, И. А. Черных, Т. С. Крылова, Р. И. Шайнуров, Е. П. Красноперов, М. Л. Занавескин, “Разработка подхода формирования эпитаксиальных структур YBa$_2$Cu$_3$O$_x$–интерслой–YBa$_2$Cu$_3$O$_x$ с высокой токонесущей способностью”, Письма в ЖТФ, 40:20 (2014), 47–53; Tech. Phys. Lett., 40:10 (2014), 905–908
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CheCheKry14}
\by М.~Я.~Черных, И.~А.~Черных, Т.~С.~Крылова, Р.~И.~Шайнуров, Е.~П.~Красноперов, М.~Л.~Занавескин
\paper Разработка подхода формирования эпитаксиальных структур YBa$_2$Cu$_3$O$_x$--интерслой--YBa$_2$Cu$_3$O$_x$ с высокой токонесущей способностью
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2014
\vol 40
\issue 20
\pages 47--53
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8289}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22019685}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2014
\vol 40
\issue 10
\pages 905--908
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785014100204}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8289
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v40/i20/p47
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025