|
|
Письма в Журнал технической физики, 2014, том 40, выпуск 20, страницы 96–103
(Mi pjtf8296)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs
О. В. Вихрова, М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, И. Л. Калентьева Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Исследованы излучательные характеристики и циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с одиночной (GaAs/GaAsSb/GaAs) или двухслойной (GaAs/InGaAs/GaAsSb/GaAs) квантовой ямой и дельта-слоем Mn в барьере GaAs. Впервые обнаружено и исследовано ферромагнитное воздействие дельта-слоя марганца на спиновую поляризацию носителей в квантовых ямах на основе гетероструктур II рода. Для описания исследованных явлений использована модель обменного взаимодействия ионов Mn в барьере и дырок в квантовой яме.
Поступила в редакцию: 22.05.2014
Образец цитирования:
О. В. Вихрова, М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, И. Л. Калентьева, “Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs”, Письма в ЖТФ, 40:20 (2014), 96–103; Tech. Phys. Lett., 40:10 (2014), 930–933
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8296 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v40/i20/p96
|
|