Магнитоэлектрический эффект в структурах на основе металлизированных подложек арсенида галлия

Впервые экспериментально исследован магнитоэлектрический эффект в области электромеханического резонанса для структур в виде подложек арсенида галлия, металлизированных, с одной стороны, тонкими пленками никеля или кобальта, а с другой – золота (Ni–GaAs–Au, Co–GaAs–Au). Зависимость магнитоэлектрического эффекта от поля намагничивания в структуре Ni–GaAs–Au имеет аномальный вид, несвойственный известным композиционным магнитоэлектрическим материалам на основе керамических пьезоэлектриков. Максимальное значение магнитоэлектрического коэффициента при резонансе составляет 81.2 V/A, что соответствует гигантскому магнитоэлектрическому эффекту при комнатной температуре. Показано, что этот резонанс характеризуется высокой добротностью до 8000.