Моделирование роста GaN нитевидных нанокристаллов на кремнии

Представлено развитие кинетической модели роста самоиндуцированных GaN нитевидных нанокристаллов (ННК) в вертикальном и латеральном направлениях. Построена модель, позволяющая описать эволюцию длины и радиуса ННК во времени. Проведено сопоставление результатов моделирования с экспериментальными данными по временным зависимостям длины и радиуса GaN ННК, выращенных на аморфных подслоях Si$_x$N$_y$ на подложках кремния, и показано их хорошее соответствие. Определены условия, при которых длина и радиус ННК являются степенными функциями времени, а длина ННК обладает скейлинговой суперлинейной зависимостью от радиуса.