Увеличение мощности излучения светодиодов ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb

На примере светодиодной гетероструктуры $n$-GaSb-$n$-GaInAsSb-$p$-GaAlAsSb было показано, что при создании на тыльной стороне светодиодного чипа криволинейной отражающей поверхности в виде полусферических ямок травления наблюдается увеличение мощности излучения светодиодов в 1.9–2 раза во всем исследованном интервале длин волн 1.7–2.4 $\mu$m по сравнению с конструкцией светодиодного чипа, содержащего сплошной поглощающий омический контакт. Такое повышение эффективности светодиода происходит за счет изменения направления световых потоков в кристалле при отражении их от полусферических ямок травления кристалла.