Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2013, том 39, выпуск 6, страницы 1–8 (Mi pjtf8447)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210)

В. Н. Бессоловabc, Е. В. Коненковаabc, С. А. Кукушкинabc, В. И. Николаевabc, А. В. Осиповabc, Ш. Шарофидиновabc, М. П. Щегловabc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
c ООО "Совершенные кристаллы", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (549 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Излагается идея нового технологического метода выращивания слоев нитрида галлия в полуполярном направлении газофазной эпитаксией в хлоридной системе (HVPE). В качестве подложки предложен Si(210), а в качестве буферных слоев использованы: в начале – 3C-SiC, а затем – AlN. Впервые экспериментально показано, что в условиях анизотропной деформации гетероструктуры GaN/AlN/3C-SiC/Si(210) происходит рост GaN-слоя в полуполярных направлениях.
Поступила в редакцию: 09.10.2012
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2013, Volume 39, Issue 3, Pages 274–276
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501303019X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Ш. Шарофидинов, М. П. Щеглов, “Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210)”, Письма в ЖТФ, 39:6 (2013), 1–8; Tech. Phys. Lett., 39:3 (2013), 274–276
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BesKonKuk13}
\by В.~Н.~Бессолов, Е.~В.~Коненкова, С.~А.~Кукушкин, В.~И.~Николаев, А.~В.~Осипов, Ш.~Шарофидинов, М.~П.~Щеглов
\paper Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210)
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2013
\vol 39
\issue 6
\pages 1--8
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8447}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20328131}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2013
\vol 39
\issue 3
\pages 274--276
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501303019X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8447
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v39/i6/p1
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025