Влияние процессов сегрегации и термодиффузии на формирование границ раздела в наноструктурных и многоэлементных покрытиях (Ti–Hf–Zr–V–Nb)N

Впервые были исследованы сверхтвердые наноструктурные покрытия на основе (Ti–Hf–Zr–V–Nb) до и после отжига при 600$^\circ$C. Было обнаружено, что захват позитронов дефектами происходит по границам нанозерен и на интерфейсах (вакансиях и нанопорах, входящих в тройные и более стыки нанозерен). Получены карты распределения элементов в 3D-измерениях в сверхтвердом покрытии, измеренные методом $\mu$-PIXE (микропучка протонов). Профили элементов и дефектов (полученные микропучком позитронов) позволяют понять физическую картину процессов, связанных с формированием границ раздела (интерфейсов) и субграниц в наноструктурном покрытии (Ti–Zr–Hf–V–Nb)N.