О механизме формирования инкапсулированных наночастиц при импульсном лазерном осаждении тонкопленочных покрытий WSe$_x$

Исследованы факторы, влияющие на образование наночастиц со структурой сферического металлического W ядра в оболочке из WSe$_2$ при осаждении тонких пленок диселенида вольфрама в варьируемых условиях (давление буферного газа Ar, температура подложки). Установлено, что металлическое ядро формируется на стадии абляции синтезированной мишени WSe$_2$, а оболочка нарастает в результате процессов конденсации, миграции и перераспределения атомов при осаждении лазерно-инициированного атомарного потока на поверхности растущей пленки. Торможение атомарного потока буферным газом в диапазоне давлений 2–10 Pa не обеспечивало активирования процессов конденсации оболочки на ядре в газовой фазе. Повышение температуры подложки от комнатной до 250$^\circ$C инициировало трансформацию аморфной структуры оболочки в ламинарную.