Инжекционные полупроводниковые лазеры InGaAs/GaAs с волноводом на одиночной квантовой яме

Созданы инжекционные полупроводниковые лазеры, излучающие на длине волны 1065 nm, с волноводом на основе одной квантовой ямы InGaAs. Показано, что внутренние оптические потери определяются шириной нелегированной области, заключенной между эмиттерами $n$- и $p$-типов проводимости. Полученное значение суммарной выходной оптической мощности, при комнатной температуре, у лазеров с апертурой 100 $\mu$m составило 2 W при расходимости излучения в плоскости, перпендикулярной $p$–$n$-переходу, 15$^\circ$.