Подвижность носителей заряда в нелегированных слоях SiC, выращенных новым методом эпитаксии на Si

Представлены первые результаты электрофизических исследований пленок карбида кремния, выращенных на кремнии новым методом эпитаксии. Определен тип носителей заряда в пленках SiC на Si и измерена их плотность и подвижность. Исследования показали, что пленки SiC на Si, выращенные данным методом, обладают $n$-типом проводимости. Концентрация основных носителей заряда (электронов) в нелегированных слоях пленок SiC на Si составляет в среднем $n\sim$10$^{18}$ cm$^{-3}$. Подвижность основных носителей заряда (электронов) для пленок изменяется в зависимости от режимов синтеза от $\mu$ = 27 до 85 cm$^2$/(V $\cdot$ s).