Влияние числа атомов углерода в молекулярном предшественнике на размер кристаллитов алмазных пленок при плазмохимическом газофазном осаждении

Представлены результаты исследования влияния числа атомов углерода молекулы углеродсодержащего предшественника на размер кристаллитов алмазных пленок, выращенных на кремниевых подложках в условиях стимулированного СВЧ-плазмой процесса химического газофазного осаждения. Продемонстрировано, что размер кристаллитов уменьшается с увеличением числа углеродных атомов в молекуле. Обнаруженная тенденция коррелирует с возрастанием интенсивности линии C$_2$ (516.5 nm) в оптическом эмиссионном спектре плазмы, что, вероятно, связано с участием радикалов C$_2$ в зарождении дополнительных центров нуклеации на поверхности растущей алмазной пленки.