Особенности формирования многослойных наноструктур Ge/Si при ионно-лучевой кристаллизации

Предложен метод комбинированной ионно-лучевой кристаллизации многослойных наноструктур Ge/Si. Используя атомно-силовую и электронную микроскопию показано, что при температурах подложки кремния $T$ = 330–350$^\circ$C, энергиях $E_{\mathrm{Ge}^+}$ = 30–40 eV, $E_{\mathrm{Ar}^+}^0$ = 230–240 eV (первичное импульсное дефектообразование), $E_{\mathrm{Ar}^+}$ = 130–140 eV (перманентная стимуляция диффузии) и ионных потоках $f_{\mathrm{Ge}^+}\approx$ 1.5 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$ $\cdot$ s$^{-1}$, $f_{\mathrm{Ar}^+}\approx$ 5 $\cdot$ 10$^{12}$ cm$^{-2}$ $\cdot$ s$^{-1}$ образуется массив квантовых точек германия с латеральными размерами $\langle$a$\rangle$ = 12–15 nm. Данные рамановской спектроскопии указывают на экспериментальную возможность низкотемпературного ионно-стимулированного выращивания спейсерных слоев кремния ($T$ = 420–450$^\circ$C, $E_{\mathrm{Ar}^+}$ = 80–90 eV, $E_{\mathrm{Si}^+}$ = 30–40 eV, $f_{\mathrm{Si}^+}$ = 3.5 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$ $\cdot$ s$^{-1}$) и формирования многослойных структур с квантовыми точками Ge$_x$Si$_{1-x}$ ($x>$ 0.85).