Приготовление полосковой структуры для квантовых каскадных лазеров

Продемонстрирован метод заращивания лазерных полосковых структур высокоомным фосфидом индия для ограничения области протекания тока и улучшения отвода тепла. Заращивание выполнялось с помощью метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что данный метод позволяет получать качественные эпитаксиальные слои и бездефектные границы заращивания без специальной обработки структур после фотолитографии. Все слои InP были $n$-типа проводимости, удельное сопротивление составляло $\rho\sim$ 5 $\cdot$ 10$^4$ $\Omega$ $\cdot$ cm, а концентрация носителей $n\sim$ 5 $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-3}$. Характеристики выращенных слоев InP позволят получать высококачественные квантовые каскадные лазеры.