Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2013, том 39, выпуск 18, страницы 45–52 (Mi pjtf8597)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs

Н. Д. Ильинскаяabc, С. А. Карандашевabc, Н. М. Латниковаabc, А. А. Лавровabc, Б. А. Матвеевabc, М. А. Ременныйabc, Е. Н. Севостьяновabc, Н. М. Стусьabc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c АО "ЦНИИ "Электрон", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (309 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Представлен анализ вольт-амперных и спектральных характеристик фотодиодов на основе одиночной гетероструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs, полученной на сильнолегированной подложке $n^+$-InAs ($n^+\sim$ 10$^{18}$ cm$^{-3}$). Показано, что при низких температурах (77 $<T<$ 190 K) имеет место преобладание генерационно-рекомбинационного механизма токопрохождения, характерного для $p$–$i$–$n$-диодов. Представлены ожидаемые параметры ФД, достижимые с использованием данных гетероструктур.
Поступила в редакцию: 27.05.2013
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2013, Volume 39, Issue 9, Pages 818–821
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785013090174
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. М. Латникова, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Е. Н. Севостьянов, Н. М. Стусь, “Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs”, Письма в ЖТФ, 39:18 (2013), 45–52; Tech. Phys. Lett., 39:9 (2013), 818–821
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IliKarLat13}
\by Н.~Д.~Ильинская, С.~А.~Карандашев, Н.~М.~Латникова, А.~А.~Лавров, Б.~А.~Матвеев, М.~А.~Ременный, Е.~Н.~Севостьянов, Н.~М.~Стусь
\paper Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2013
\vol 39
\issue 18
\pages 45--52
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8597}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20328326}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2013
\vol 39
\issue 9
\pages 818--821
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785013090174}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8597
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v39/i18/p45
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025