|
|
Письма в Журнал технической физики, 2013, том 39, выпуск 18, страницы 78–86
(Mi pjtf8601)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Высокотемпературный детектор водорода со структурой Pt/Pt+/$n$-6H–SiC
В. В. Зуевab, С. Н. Григорьевab, Р. И. Романовab, В. Ю. Фоминскийab a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
b Московский государственный технологический университет "Станкин"
Аннотация:
Для формирования газочувствительных структур на монокристаллах $n$-6H–SiC использовался комбинированный метод имплантации Pt$^+$ и последующего осаждения пленки Pt из импульсной лазерной плазмы. Высокотемпературная имплантация обеспечивала формирование слоя, улучшающего сцепление пленки с подложкой, а также изменяющего параметры токопрохождения под воздействием атомарного водорода, образующегося при взаимодействии H$_2$ с каталитически активной Pt. Нарушение слошности пленки Pt в условиях повышенных температур функционирования датчика ($\sim$ 500$^\circ$C) не оказывало явного негативного влияния на сенсорные свойства структуры Pt/Pt+/SiC. Аналогичные эффекты в традиционно используемой диодной структуре Pt/SiC обусловливали сильную деградацию ее функциональных характеристик.
Поступила в редакцию: 09.04.2013
Образец цитирования:
В. В. Зуев, С. Н. Григорьев, Р. И. Романов, В. Ю. Фоминский, “Высокотемпературный детектор водорода со структурой Pt/Pt+/$n$-6H–SiC”, Письма в ЖТФ, 39:18 (2013), 78–86; Tech. Phys. Lett., 39:9 (2013), 834–837
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8601 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v39/i18/p78
|
|