Фотоиндуцированная деградация тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu$c-Si : H фотопреобразователей при повышенных температурах

Экспериментально исследована фотоиндуцированная деградация тандемных фотопреобразователей со структурой $\alpha$-Si : H/$\mu$c-Si : H с начальным КПД 10.5% при температурах 298, 328 и 353 K. Установлено, что если при температуре 298 K наблюдается снижение КПД фотопреобразователей на 1.0–1.2% при длительной световой экспозиции, то повышение температуры до 328 K приводит к снижению деградации до 0.2% по КПД, а при температуре 353 K деградация не наблюдается. Для объяснения полученных результатов была использована модифицированная модель “H-коллизий”. Определена энергия термической активации для процесса, препятствующего росту свободных (оборванных) связей в слое $i$-$\alpha$-Si : H.