Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2013, том 39, выпуск 22, страницы 25–32 (Mi pjtf8641)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования

В. В. Ратниковab, А. Е. Калмыковab, А. В. Мясоедовab, С. А. Кукушкинab, А. В. Осиповab, Л. М. Сорокинab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии исследована динамика изменения структурных характеристик и деформационного состояния эпитаксиальных слоев SiC, AlN, GaN при их последовательном нанесении на подложку Si(111). Слой SiC сформирован методом твердофазной эпитаксии, слои AlN и GaN – с помощью хлорид-гидридной эпитаксии. Газом носителем являлся аргон.
Поступила в редакцию: 19.07.2013
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2013, Volume 39, Issue 11, Pages 994–997
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785013110230
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Ратников, А. Е. Калмыков, А. В. Мясоедов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. М. Сорокин, “Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования”, Письма в ЖТФ, 39:22 (2013), 25–32; Tech. Phys. Lett., 39:11 (2013), 994–997
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RatKalMya13}
\by В.~В.~Ратников, А.~Е.~Калмыков, А.~В.~Мясоедов, С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов, Л.~М.~Сорокин
\paper Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2013
\vol 39
\issue 22
\pages 25--32
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8641}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20328402}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2013
\vol 39
\issue 11
\pages 994--997
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785013110230}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8641
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v39/i22/p25
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025