|
|
Письма в Журнал технической физики, 2013, том 39, выпуск 22, страницы 25–32
(Mi pjtf8641)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования
В. В. Ратниковab, А. Е. Калмыковab, А. В. Мясоедовab, С. А. Кукушкинab, А. В. Осиповab, Л. М. Сорокинab a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии исследована динамика изменения структурных характеристик и деформационного состояния эпитаксиальных слоев SiC, AlN, GaN при их последовательном нанесении на подложку Si(111). Слой SiC сформирован методом твердофазной эпитаксии, слои AlN и GaN – с помощью хлорид-гидридной эпитаксии. Газом носителем являлся аргон.
Поступила в редакцию: 19.07.2013
Образец цитирования:
В. В. Ратников, А. Е. Калмыков, А. В. Мясоедов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. М. Сорокин, “Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования”, Письма в ЖТФ, 39:22 (2013), 25–32; Tech. Phys. Lett., 39:11 (2013), 994–997
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8641 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v39/i22/p25
|
|