Сегнетоэлектрические пленки дейтерированного глицинфосфита, выращенные в атмосфере азота

Тонкие сегнетоэлектрические пленки дейтерированного глицинфосфита выращены методом испарения в атмосфере азота на подложках NdGaO$_3$ и $\alpha$-Al$_2$O$_3$. С помощью встречно-штыревой системы электродов, предварительно нанесенных на подложку, исследован сильно- и слабосигнальный диэлектрический отклик полученных структур. Кристаллизация пленок в атмосфере азота позволила существенно повысить (до 291 K) температуру появления петель диэлектрического гистерезиса, характеризующих переход пленки в сегнетоэлектрическое состояние. В отличие от пленок, выращенных в обычной атмосфере, слабосигнальная диэлектрическая аномалия сильно размыта по температуре, что связано с неоднородным распределением дейтерия по пленке.