Спонтанная взрывная кристаллизация и фазообразование в наноразмерной гетероструктуре селен/индий

Представлены результаты экпериментальных исследований спонтанной взрывной кристаллизации (СВК) в наноразмерной гетероструктуре Se/In. Показано, что в ней спонтанная взрывная кристаллизация возникает в широком интервале толщин пленок Se 70–280 nm и протекает в узком временно́м интервале 1.7–3.5 s. Установлено, что в зависимости от соотношения толщин пленок Se и In в продуктах реакции после СВК образуются гексагональный InSe с параметрами кристаллической решетки $a$ = 4.05 $\mathring{\mathrm{A}}$, $c$ = 16.93 $\mathring{\mathrm{A}}$, а также гексагональный Se ($a$ = 4.3662 $\mathring{\mathrm{A}}$, $c$ = 4.9536 $\mathring{\mathrm{A}}$).