Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония

В структурах металл–оксид–полупроводник на основе пленок Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As, полученных методом эпитаксии с использованием металлоорганических соединений, наблюдался пиннинг уровня Ферми на границе раздела Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/оксид на расстоянии 1.1 eV от потолка зоны проводимости Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As. В этих структурах обнаружено явление долговременной памяти, которое обусловлено поступлением электронов из Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As в анодный окисел и их захватом там глубокими ловушками. Наблюдалось обратимое изменение состояний структур, связанных с этим эффектом памяти, под действием электрического поля или света.