Фотомодуляционная ИК фурье-спектроскопия полупроводниковых структур: особенности фазовой коррекции и применение метода

Реализован метод измерения фотоотражения на основе инфракрасного фурье-спектрометра. Выявлены особенности применения фазовой коррекции, необходимые для сохранения информации о знаке спектра. В ближнем инфракрасном диапазоне метод был применен для измерения энергетического спектра носителей заряда в одиночных квантовых ямах In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs. В этом диапазоне наблюдалось хорошее согласие с результатами, полученными для тех же образцов на дифракционном спектрометре. В среднем ИК диапазоне развиваемый метод фотомодуляционной фурье-спектроскопии продемонстрирован при измерении фотоотражения эпитаксиальных слоев InSb (в интервале длин волн 2–10 $\mu$m).