Зависимость параметра гибридизации азотосодержащих твердых растворов GaPN от мольной доли азота

Сравниваются результаты исследования методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaP (001), со значениями параметров образцов, рассчитанными с использованием модели гибридизации зон (“band anticrossing model” или ВАС-модель). На основе результатов, полученных в данной работе, мы приходим к выводу, что параметр гибридизации твредого раствора GaP$_{1-x}$N$_x$ не является постоянной величиной, а зависит от мольной доли азота.