Фотоэлектрические свойства солнечных элементов на основе гетероструктур GaPNAs/GaP

Показана возможность формирования фотоэлектрических преобразователей на основе гетероструктур GaPNAs/GaP, представляющих большой интерес для создания многопереходных солнечных элементов на кремниевых подложках. Показано, что в $p$–$i$–$n$-структурах с нелегированным слоем GaPNAs происходит более эффективное разделение носителей заряда, что позволяет достичь большего тока короткого замыкания по сравнению с $p$–$n$-структурами с базой $n$-типа. Выявлена особенность спектральных характеристик исследуемых фотопреобразовательных структур, заключающаяся в наличии двух пиков квантовой эффективности, которая связывается со сложной зонной структурой GaPNAs.