Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 1, страницы 27–36 (Mi pjtf8729)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов

О. Е. Терещенкоa, А. Г. Паулишa, М. А. Неклюдоваa, Т. С. Шамирзаевa, А. С. Ярошевичa, И. П. Просвиринb, И. Э. Жаксылыковаa, Д. В. Дмитриевa, А. И. Тороповa, С. Н. Варнаковc, М. В. Рауцкийc, Н. В. Волковcd, С. Г. Овчинниковc, А. В. Латышевae

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск
c Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
d Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, Красноярск
e Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (517 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.
Поступила в редакцию: 26.07.2011
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2012, Volume 38, Issue 1, Pages 12–16
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785012010154
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Е. Терещенко, А. Г. Паулиш, М. А. Неклюдова, Т. С. Шамирзаев, А. С. Ярошевич, И. П. Просвирин, И. Э. Жаксылыкова, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. Н. Варнаков, М. В. Рауцкий, Н. В. Волков, С. Г. Овчинников, А. В. Латышев, “Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов”, Письма в ЖТФ, 38:1 (2012), 27–36; Tech. Phys. Lett., 38:1 (2012), 12–16
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TerPauNek12}
\by О.~Е.~Терещенко, А.~Г.~Паулиш, М.~А.~Неклюдова, Т.~С.~Шамирзаев, А.~С.~Ярошевич, И.~П.~Просвирин, И.~Э.~Жаксылыкова, Д.~В.~Дмитриев, А.~И.~Торопов, С.~Н.~Варнаков, М.~В.~Рауцкий, Н.~В.~Волков, С.~Г.~Овчинников, А.~В.~Латышев
\paper Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2012
\vol 38
\issue 1
\pages 27--36
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8729}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20327753}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2012
\vol 38
\issue 1
\pages 12--16
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785012010154}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8729
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i1/p27
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025