|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 1, страницы 45–50
(Mi pjtf8731)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO$_2$
А. Г. Багмут, И. А. Багмут, В. А. Жучков, М. О. Шевченко Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"
Аннотация:
Методами просвечивающей электронной микроскопии и электронографии исследованы пленки диоксида гафния, полученные импульсным лазерным распылением Hf в атмосфере кислорода. Выявлены условия образования аморфной фазы, а также тетрагональной и моноклинной модификации HfO$_2$. На ориентирующих подложках кристаллическая фаза формируется при более низких температурах по сравнению с нейтральными подложками. Эффект эпитаксии проявляется для тетрагональной модификации HfO$_2$. При отжиге на воздухе аморфная пленка кристаллизуется с образованием моноклинной модификации HfO$_2$.
Поступила в редакцию: 22.06.2011
Образец цитирования:
А. Г. Багмут, И. А. Багмут, В. А. Жучков, М. О. Шевченко, “Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO$_2$”, Письма в ЖТФ, 38:1 (2012), 45–50; Tech. Phys. Lett., 38:1 (2012), 22–24
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8731 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i1/p45
|
|