Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 3, страницы 10–16 (Mi pjtf8754)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой

А. М. Надточийabc, С. А. Блохинabc, А. Г. Кузьменковabc, М. В. Максимовabc, Н. А. Малеевabc, С. И. Трошковabc, Н. Н. Леденцовabc, В. М. Устиновabc, A. Mutigd, D. Bimbergd

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
d Institut for Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin Germany
PDF полного текста (414 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Приведены результаты сравнительных исследований структурных параметров, статических и динамических характеристик вертикально-излучающих лазеров (VCSEL) с микрорезонаторами на основе Al$_{0.15}$Ga$_{0.85}$As и Al$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As. Вследствие вертикального окисления слоев микрорезонатора Al$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As при формировании оксидной токовой апертуры происходит значительное увеличение толщины оксида, приводящее к существенному уменьшению паразитной емкости прибора и увеличению в 1.7–2 раза частоты отсечки низкочастотного фильтра, образованного паразитными элементами электрической эквивалентной схемы.
Поступила в редакцию: 12.08.2011
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2012, Volume 38, Issue 2, Pages 106–109
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785012020101
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Надточий, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, М. В. Максимов, Н. А. Малеев, С. И. Трошков, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, A. Mutig, D. Bimberg, “Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой”, Письма в ЖТФ, 38:3 (2012), 10–16; Tech. Phys. Lett., 38:2 (2012), 106–109
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NadBloKuz12}
\by А.~М.~Надточий, С.~А.~Блохин, А.~Г.~Кузьменков, М.~В.~Максимов, Н.~А.~Малеев, С.~И.~Трошков, Н.~Н.~Леденцов, В.~М.~Устинов, A.~Mutig, D.~Bimberg
\paper Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2012
\vol 38
\issue 3
\pages 10--16
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8754}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2012
\vol 38
\issue 2
\pages 106--109
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785012020101}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8754
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i3/p10
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025