Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах InP

Экспериментально исследована температурная зависимость края фундаментального поглощения “эпитаксиальных” слоев InP. Наблюдаемый низкотемпературный рост интегрального поглощения экситона $K(T)$ интерпретируется при помощи механизма экситон-поляритонного светопереноса в полупроводниковых кристаллах с пространственной дисперсией. Экспериментально определены критическая температура $T_c$ = 200 K, выше которой интегральное поглощение становится постоянным, и соответствующие ему значения критического параметра затухания $\Gamma_c$ = 0.341 meV, продольно-поперечного расщепления $\hbar\omega_{LT}$ = 0.175 meV и силы осциллятора экситонного перехода $\beta$ = 0.237 $\cdot$ 10$^{-4}$. Выделена температурная зависимость истинного диссипативного затухания.