|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 4, страницы 18–25
(Mi pjtf8770)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Рост полупроводниковых нитевидных нанокристаллов при больших диффузионных длинах
В. Г. Дубровскийab, М. В. Назаренкоab a Санкт-Петербургский академический университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Найдена универсальная асимптотика для закона роста нитевидного нанокристалла (ННК) в случае, когда диффузионная длина адатомов на поверхности подложки много больше радиуса ННК, а диффузионная длина на боковой поверхности много больше длины ННК. Определены основные стадии роста, характеризующиеся различными зависимостями длины ННК от радиуса и времени осаждения. Рассмотрены возможные асимпотические режимы эпитаксиального роста ННК: экспоненциальный рост и ограниченный рост до некоторой критической толщины, зависящие от направления диффузионного потока на боковой поверхности ННК.
Поступила в редакцию: 04.10.2011
Образец цитирования:
В. Г. Дубровский, М. В. Назаренко, “Рост полупроводниковых нитевидных нанокристаллов при больших диффузионных длинах”, Письма в ЖТФ, 38:4 (2012), 18–25; Tech. Phys. Lett., 38:2 (2012), 164–167
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8770 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i4/p18
|
|