Анализ дефектной структуры приповерхностных слоев проводящих материалов с помощью эффекта электронного туннелирования

Предложен общий подход к расчету туннельных характеристик гетероструктур с наноразмерными разупорядоченными пленками изолятора, основанный на учете эффектов упругого и неупругого туннелирования. Показано, что нахождение показателя степени в зависимости дифференциальной проводимости таких контактов от напряжения, измеренной при низких температурах, позволяет выяснить структуру переходного слоя между металлическими электродами. В качестве примера приведен анализ туннельных кривых для контактов серебра с проводящими пленками манганитов и купратов.