Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 5, страницы 41–48 (Mi pjtf8786)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли

Н. В. Сибирёвabcd, М. В. Назаренкоabcd, В. Г. Дубровскийabcd

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
b Санкт-Петербургский государственный университет
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Аннотация: Проведено теоретическое исследование нового, смачивающего режима роста нитевидных нанокристаллов (ННК) по механизму “пар–жидкость–кристалл” (ПЖК), в котором капля катализатора обволакивает вершину ННК. Такой режим может осуществляться при достаточно низких поверхностных энергиях капли, например при автокаталитическом росте GaAs ННК из Ga капель. Исходя из условия механического баланса поверхностных сил, а также на основе минимизации функционала поверхностной энергии определена форма капли в смачивающей конфигурации. Показано, что капля имеет форму сферического сегмента на вершине, сшитого с ондулоидом, окружающим боковую поверхность ННК. Обсуждается влияние конфигурации капли на кристаллическую структуру автокаталитических GaAs ННК. Показано, что несмачивающий режим характерен для малых, а смачивающий – для больших начальных объемов капли.
Поступила в редакцию: 21.10.2011
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2012, Volume 38, Issue 3, Pages 221–224
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785012030145
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Сибирёв, М. В. Назаренко, В. Г. Дубровский, “Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли”, Письма в ЖТФ, 38:5 (2012), 41–48; Tech. Phys. Lett., 38:3 (2012), 221–224
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SibNazDub12}
\by Н.~В.~Сибирёв, М.~В.~Назаренко, В.~Г.~Дубровский
\paper Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2012
\vol 38
\issue 5
\pages 41--48
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8786}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20327811}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2012
\vol 38
\issue 3
\pages 221--224
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785012030145}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8786
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i5/p41
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025