|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 5, страницы 41–48
(Mi pjtf8786)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли
Н. В. Сибирёвabcd, М. В. Назаренкоabcd, В. Г. Дубровскийabcd a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
b Санкт-Петербургский государственный университет
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Аннотация:
Проведено теоретическое исследование нового, смачивающего режима роста нитевидных нанокристаллов (ННК) по механизму “пар–жидкость–кристалл” (ПЖК), в котором капля катализатора обволакивает вершину ННК. Такой режим может осуществляться при достаточно низких поверхностных энергиях капли, например при автокаталитическом росте GaAs ННК из Ga капель. Исходя из условия механического баланса поверхностных сил, а также на основе минимизации функционала поверхностной энергии определена форма капли в смачивающей конфигурации. Показано, что капля имеет форму сферического сегмента на вершине, сшитого с ондулоидом, окружающим боковую поверхность ННК. Обсуждается влияние конфигурации капли на кристаллическую структуру автокаталитических GaAs ННК. Показано, что несмачивающий режим характерен для малых, а смачивающий – для больших начальных объемов капли.
Поступила в редакцию: 21.10.2011
Образец цитирования:
Н. В. Сибирёв, М. В. Назаренко, В. Г. Дубровский, “Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли”, Письма в ЖТФ, 38:5 (2012), 41–48; Tech. Phys. Lett., 38:3 (2012), 221–224
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8786 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i5/p41
|
|