|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 6, страницы 15–21
(Mi pjtf8798)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
О генерации (усилении) терагерцового излучения в процессе резонансного возбуждения экситонов в полупроводниках
П. И. Хаджиa, И. В. Белоусовa, А. В. Коровайb, Д. А. Марковb a Институт прикладной физики АН Молдовы, г. Кишинев
b Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, г. Тирасполь
Аннотация:
Предложен и изучен новый механизм генерации терагерцового излучения в полупроводниках, использующий квантовые переходы между двухэкситонным и биэкситонным состояниями в условиях однофотонного возбуждения экситонов из основного состояния кристалла.
Поступила в редакцию: 01.11.2011
Образец цитирования:
П. И. Хаджи, И. В. Белоусов, А. В. Коровай, Д. А. Марков, “О генерации (усилении) терагерцового излучения в процессе резонансного возбуждения экситонов в полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 38:6 (2012), 15–21; Tech. Phys. Lett., 38:3 (2012), 261–264
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8798 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i6/p15
|
|