Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия

Проведено формирование эпитаксиальных структур GaN методом латерального эпитаксиального разращивания, при котором GaN выращивается в полосковых окнах на частично маскированном исходном слое GaN. Установлено, что, помимо традиционной ориентации полосков поперек оси с GaN, данный процесс возможен при ориентации полосков под углом 45$^\circ$ к оси $c$. В этом случае возможно проведение двух процессов латерального разращивания во взаимно перпендикулярных направлениях, что существенно снижает относительную площадь несовершенного материала, формирующегося над окнами в маске.