Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 6, страницы 90–95 (Mi pjtf8808)  
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния

С. А. Кукушкинab, А. В. Осиповab, С. Г. Жуковab, Е. Е. Заваринab, В. В. Лундинab, М. А. Синицынab, М. М. Рожавскаяab, А. Ф. Цацульниковab, С. И. Трошковab, Н. А. Феоктистовab

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (610 kB) Список цитирования (14)
Аннотация: Впервые выращена светодиодная структура на основе III-нитридов на подложке кремния (111) с использованием нанослоя SiC (50–200 nm), полученного методом твердофазной эпитаксии. При этом достигается рекордно низкая плотность дислокаций несоответствия решеток $<$ 10$^8$ cm$^{-2}$ при общей плотности дислокаций $\sim$8 $\cdot$ 10$^8$ cm$^{-2}$. Измерены спектры фото- и электролюминесценции полученных структур.
Поступила в редакцию: 15.11.2011
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2012, Volume 38, Issue 3, Pages 297–299
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785012030261
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Г. Жуков, Е. Е. Заварин, В. В. Лундин, М. А. Синицын, М. М. Рожавская, А. Ф. Цацульников, С. И. Трошков, Н. А. Феоктистов, “Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 38:6 (2012), 90–95; Tech. Phys. Lett., 38:3 (2012), 297–299
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KukOsiZhu12}
\by С.~А.~Кукушкин, А.~В.~Осипов, С.~Г.~Жуков, Е.~Е.~Заварин, В.~В.~Лундин, М.~А.~Синицын, М.~М.~Рожавская, А.~Ф.~Цацульников, С.~И.~Трошков, Н.~А.~Феоктистов
\paper Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2012
\vol 38
\issue 6
\pages 90--95
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8808}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20327833}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2012
\vol 38
\issue 3
\pages 297--299
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785012030261}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8808
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i6/p90
    • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025