|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 7, страницы 31–39
(Mi pjtf8813)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Влияние ширины барьера в структуре с двумя асимметричными связанными квантовыми ямами на область существования пассивной синхронизации мод
М. С. Буялоabc, А. А. Горбацевичabc, А. Ю. Егоровabc, И. М. Гаджиевabc, И. О. Бакшаевabc, Ю. М. Задирановabc, Н. Д. Ильинскаяabc, Е. Л. Портнойabc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
Аннотация:
Исследованы двухсекционные полупроводниковые лазеры с активной областью, состоящей из двух квантовых ям InGaAs различной ширины, разделенных барьером GaAs. При толщине барьера 2 nm происходит туннельное связывание ям, что обусловливает наличие непрямого оптического перехода между ними. Соответствующий этому переходу пик в спектре поглощения лазерной структуры приводит к дополнительной области существования режима пассивной синхронизации мод при малых обратных смещениях на поглощающей секции.
Поступила в редакцию: 17.11.2011
Образец цитирования:
М. С. Буяло, А. А. Горбацевич, А. Ю. Егоров, И. М. Гаджиев, И. О. Бакшаев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, Е. Л. Портной, “Влияние ширины барьера в структуре с двумя асимметричными связанными квантовыми ямами на область существования пассивной синхронизации мод”, Письма в ЖТФ, 38:7 (2012), 31–39; Tech. Phys. Lett., 38:4 (2012), 316–319
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8813 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i7/p31
|
|