Модификация монослойной прослойки нижележащим подслоем и ее влияние на механизм роста пленки

Приведены результаты работы по исследованию влияния верхнего монослоя Si в прослойках Fe–Si на механизм роста пленок Cu толщиной 7 ML при их осаждении из молекулярно-лучевого источника. Исследование проводили в условиях сверхвысокого вакуума методами спектроскопии характеристических потерь энергии электронов и электронной оже-спектроскопии. Кроме того, в атмосфере была исследована морфология полученных образцов методом атомно-силовой микроскопии. Показано, что на прослойке Si(1ML)/Fe$_2$Si$_3$(5ML)/Si(001) пленка Cu растет псевдопослойно (с растворением монослоя Si), а на прослойке Si(1ML)/Fe(1ML)/Si(1ML)/Fe(1ML)/Si(001) – в виде островков. Данный эффект объясняется различным химическим состоянием поверхности верхнего монослоя Si, обусловленным влиянием на это состояние нижележащих подслоев Fe–Si с различной структурой.