|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 8, страницы 10–16
(Mi pjtf8824)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Расчет функции распределения GaAs полупроводниковых наноигл по размерам
А. Д. Большаковa, В. Г. Дубровскийb a Санкт-Петербургский академический университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Проведен теоретический анализ эволюции во времени ансамбля GaAs полупроводниковых наноигл, выращиваемых на рассогласованных подложках (Si или сапфир). Расчет выполнен в предположении гауссового закона нуклеации наноиглы и постоянства ее формы в ходе дальнейшего роста. Определена функция распределения наноигл по размерам в различные моменты времени. Полученные результаты могут использоваться при оптимизации ростовых методик для получения ансамблей наноигл с заданной морфологией.
Поступила в редакцию: 04.12.2011
Образец цитирования:
А. Д. Большаков, В. Г. Дубровский, “Расчет функции распределения GaAs полупроводниковых наноигл по размерам”, Письма в ЖТФ, 38:8 (2012), 10–16; Tech. Phys. Lett., 38:4 (2012), 358–360
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8824 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i8/p10
|
|