Арсенид-галлиевые $p$–$i$–$n$-структуры для детекторов рентгеновского излучения на германиевых и арсенид-галлиевых подложках

Рассмотрены особенности создания арсенид-галлиевых $p$–$i$–$n$-структур на германиевой подложке. Определены режимы роста методом ХГФЭ, позволяющие получить $p$–$i$–$n$-структуры высокого качества с электрофизическими характеристиками, близкими к аналогичным при гомоэпитаксии. Исследованы спектры экситонной фотолюминесценции при разных толщинах ультрачистого слоя GaAs и при разных условиях роста.