|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 9, страницы 31–36
(Mi pjtf8839)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Коллективные эффекты в системе структурных дефектов нитрида галлия в условиях гомоэпитаксии на пористой подложке
М. Г. Мынбаеваab, А. Е. Николаевab, А. А. Ситниковаab, Р. В. Золотареваab, К. Д. Мынбаевab a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "Совершенные кристаллы", г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Приводятся результаты экспериментов по гомоэпитаксии нитрида галлия на подложки с наноструктурированным объемом. Впервые сообщается о механизме, позволяющем исключить дислокации подложки из числа источников прорастающих дислокаций в наращиваемых на ней гомоэпитаксиальных слоях.
Поступила в редакцию: 26.12.2011
Образец цитирования:
М. Г. Мынбаева, А. Е. Николаев, А. А. Ситникова, Р. В. Золотарева, К. Д. Мынбаев, “Коллективные эффекты в системе структурных дефектов нитрида галлия в условиях гомоэпитаксии на пористой подложке”, Письма в ЖТФ, 38:9 (2012), 31–36; Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 412–414
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8839 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i9/p31
|
|