Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 9, страницы 74–80 (Mi pjtf8845)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Выращивание кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$ большого диаметра (85 mm)

Д. С. Панцуркинa, В. Н. Шлегельa, В. М. Мамедовb, М. Г. Васильевb, В. С. Юферевb

a Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, г. Новосибирск
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (462 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: С использованием компьютерного моделирования найдены условия для воспроизводимого выращивания совершенных кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$ с ориентацией $\langle$110$\rangle$ низкоградиентным методом Чохральского, когда фронт кристаллизации полностью занят гранью (110). Получены кристаллы диаметром 85 mm, длиной 200 mm и весом 10 kg. Плотность дислокации в выращенных кристаллах не превосходит 10 cm$^{-2}$, а неоднородность коэффициента преломления не более 10$^{-3}$.
Поступила в редакцию: 06.12.2011
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2012, Volume 38, Issue 5, Pages 432–435
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785012050112
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. С. Панцуркин, В. Н. Шлегель, В. М. Мамедов, М. Г. Васильев, В. С. Юферев, “Выращивание кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$ большого диаметра (85 mm)”, Письма в ЖТФ, 38:9 (2012), 74–80; Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 432–435
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PanShlMam12}
\by Д.~С.~Панцуркин, В.~Н.~Шлегель, В.~М.~Мамедов, М.~Г.~Васильев, В.~С.~Юферев
\paper Выращивание кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$ большого диаметра (85 mm)
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2012
\vol 38
\issue 9
\pages 74--80
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8845}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20327870}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2012
\vol 38
\issue 5
\pages 432--435
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785012050112}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8845
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i9/p74
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025