Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 9, страницы 81–87 (Mi pjtf8846)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

AlGaAs/GaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для длинноволновых ИК-фотоприемников, работающих в спектральной области 8–10 $\mu$m

О. Ф. Бутягинab, Н. И. Кацавецab, И. В. Коганab, Д. М. Красовицкийab, В. Б. Куликовab, В. П. Чалыйab, А. Л. Дудинab, О. Б. Чередниченкоab

a Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
b АО "Светлана – Рост", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (220 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Представлены результаты исследования гетероструктур AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на установке STE-3532 (производитель “SemiTEq”, С.-Петербург, Россия) и предназначенных для создания длинноволновых инфракрасных фотоприемников, работающих на “межподзонных” переходах. Квантовые ямы в выращенных структурах обладают высокой однородностью и резкими гетерограницами, что подтверждается спектрами фотолюминесценции и вольт-амперными характеристиками темнового тока фотоприемников, изготовленных из выращенных гетероструктур. Такие фотоприемники имеют спектр фоточувствительности в окне прозрачности атмосферы (8–10 $\mu$m) и параметры, позволяющие использовать их в широкоформатных матрицах для тепловизионных систем нового поколения.
Поступила в редакцию: 12.09.2011
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2012, Volume 38, Issue 5, Pages 436–438
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785012050045
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Ф. Бутягин, Н. И. Кацавец, И. В. Коган, Д. М. Красовицкий, В. Б. Куликов, В. П. Чалый, А. Л. Дудин, О. Б. Чередниченко, “AlGaAs/GaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для длинноволновых ИК-фотоприемников, работающих в спектральной области 8–10 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 38:9 (2012), 81–87; Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 436–438
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ButKatKog12}
\by О.~Ф.~Бутягин, Н.~И.~Кацавец, И.~В.~Коган, Д.~М.~Красовицкий, В.~Б.~Куликов, В.~П.~Чалый, А.~Л.~Дудин, О.~Б.~Чередниченко
\paper AlGaAs/GaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для длинноволновых ИК-фотоприемников, работающих в спектральной области 8--10 $\mu$m
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2012
\vol 38
\issue 9
\pages 81--87
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8846}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20327871}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2012
\vol 38
\issue 5
\pages 436--438
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785012050045}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8846
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i9/p81
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025