Солнечно-слепые УФ-фотокатоды на основе гетероструктур AlGaN с границей спектральной чувствительности в диапазоне 300–330 nm

Одним из важных применений структур на основе нитридов металлов третьей группы является создание так называемых солнечно-слепых ультрафиолетовых фотоприемников на основе фотокатодов. В большинстве работ по этой теме упоминаются фотокатоды с активной областью $p$-GaN с длинноволновой границей чувствительности 360 nm. Однако поскольку регистрируемые излучения сосредоточены в основном в диапазоне менее 240–290 nm, то сдвиг длинноволновой границы чувствительности путем получения фотокатодов с активной областью $p$-AlGaN является чрезвычайно актуальной задачей. В данной работе представлены предварительные результаты получения фотокатодов с активной областью на основе $p$-Al$_x$Ga$_{1-x}$N с $x$ = 0.1 и 0.3 (с границей чувствительности 330 и 300 nm соответственно).