Контроль упругих напряжений в гетероструктурах III–N методом дифракции отраженных быстрых электронов в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии

Приводятся результаты статистического анализа картин дифракции отраженных быстрых электронов (ДОБЭ) для определения значений латеральной постоянной решетки $(a)$ слоев в гетероструктурах (ГС) широкозонных соединений (Al, Ga, In)N в процессе их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Определено, что погрешность метода изменяется от минимального значения 0.17% до нескольких процентов в зависимости от контрастности изображений ДОБЭ, которая определяется стехиометрическими условиями роста. Демонстрируются возможности регистрации релаксации упругих напряжений при росте короткопериодных сверхрешеточных структур $\{$GaN(4 nm)/AlN(6 nm)$_{30}\}$/AlN.