Влияние токовой локализации на внутреннюю квантовую эффективность светодиодов InAsSb/InAs

Исследовано влияние токовой локализации на внутреннюю квантовую эффективность (ВКЭ) светодиодов InAsSb/InAs среднего инфракрасного (ИК) диапазона ($\lambda$ = 3–5 $\mu$m). Расчет на основе модифицированной модели рекомбинационных коэффициентов показывает, что токовая локализация приводит к значительному уменьшению ВКЭ светодиодов. Эффект уменьшения становится особенно заметным в более длинноволновых светодиодах (23% для $\lambda$ = 3.4 $\mu$m и 39% для $\lambda$ = 4.2 $\mu$m). Представленные результаты свидетельствуют о том, что токовую локализацию необходимо принимать во внимание как один из дополнительных нетермических механизмов падения эффективности в ИК-светодиодах.