|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 10, страницы 21–27
(Mi pjtf8853)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As
А. Д. Буравлевabcd, А. А. Зайцевabcd, П. Н. Брунковabcd, В. Ф. Сапегаabcd, А. И. Хребтовabcd, Ю. Б. Самсоненкоabcd, Г. Э. Цырлинabcd, В. Г. Дубровскийabcd, В. М. Устиновabcd a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Аннотация:
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs(100) синтезированы (In,Mn)As квантовые точки. Исследование морфологии поверхности полученных образцов с помощью методики атомно-силовой микроскопии продемонстрировало, что присутствие Mn влияет на поверхностную плотность и размеры самоупорядоченных квантовых точек. Изучено влияние предварительно осажденного подслоя атомов Mn на свойства образцов.
Поступила в редакцию: 06.01.2012
Образец цитирования:
А. Д. Буравлев, А. А. Зайцев, П. Н. Брунков, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, В. М. Устинов, “Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As”, Письма в ЖТФ, 38:10 (2012), 21–27; Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 460–462
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8853 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i10/p21
|
|