Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 11, страницы 78–87 (Mi pjtf8874)  
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)

Численное моделирование пространственно неоднородного переключения кремниевых диодных обострителей

П. Б. Родинab, А. М. Минарскийab, И. В. Греховab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
PDF полного текста (343 kB) Список цитирования (18)
Аннотация: Проведено численное моделирование пространственно неоднородного субнаносекундного переключения высоковольтных кремниевых диодов при задержанном лавинном пробе. Исследована зависимость переходного процесса от соотношения между полной площадью структуры и площадью той части, на которой происходит переключение. Достигнуто согласие с экспериментом по времени переключения (60–70 ps) и качественному виду переходной характеристики. Показано что быстрый спад напряжения на диоде начинается уже после того, как фронт ионизации пробежал большую часть базы, и затем продолжается за счет вторичного лавинного пробоя заполненной свободными носителями базы. Время переключения структуры в проводящее состояние не имеет прямой связи со скоростью движения фронта.
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2012, Volume 38, Issue 6, Pages 535–539
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785012060144
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. Б. Родин, А. М. Минарский, И. В. Грехов, “Численное моделирование пространственно неоднородного переключения кремниевых диодных обострителей”, Письма в ЖТФ, 38:11 (2012), 78–87; Tech. Phys. Lett., 38:6 (2012), 535–539
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RodMinGre12}
\by П.~Б.~Родин, А.~М.~Минарский, И.~В.~Грехов
\paper Численное моделирование пространственно неоднородного переключения кремниевых диодных обострителей
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2012
\vol 38
\issue 11
\pages 78--87
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8874}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20327899}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2012
\vol 38
\issue 6
\pages 535--539
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785012060144}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8874
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i11/p78
    • Эта публикация цитируется в следующих 18 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025