|
|
Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 12, страницы 1–7
(Mi pjtf8878)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Электронные состояния системы "квантовая точка–монослой графена–подложка SiO$_2$+$n^+$Si"
З. З. Алисултановabc, Р. П. Мейлановabc, А. К. Нуховabc, Г. М. Мусаевabc, Э. И. Идаятовabc a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Институт проблем геотермии Дагестанского НЦ РАН, г. Махачкала
c Дагестанский государственный университет, г. Махачкала
Аннотация:
Исследованы электронные состояния системы "квантовая точка–монослой графена–подложка SiO$_2$+n$^+$Si". Получено аналитическое выражение для величины переходящего заряда в такой системе. Исследуемая система позволяет управлять оптическими свойствами квантовой точки с помощью приложенного электрического поля.
Поступила в редакцию: 20.02.2012
Образец цитирования:
З. З. Алисултанов, Р. П. Мейланов, А. К. Нухов, Г. М. Мусаев, Э. И. Идаятов, “Электронные состояния системы "квантовая точка–монослой графена–подложка SiO$_2$+$n^+$Si"”, Письма в ЖТФ, 38:12 (2012), 1–7; Tech. Phys. Lett., 38:6 (2012), 552–554
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8878 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i12/p1
|
|