Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 12, страницы 81–86 (Mi pjtf8889)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Измерение амплитуды нановибраций с помощью полупроводникового лазерного автодина с учетом влияния обратной связи

Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, Е. О. Кащавцев, М. Ю. Калинкин

Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
Аннотация: Исследовано влияние внешней оптической обратной связи на форму продектектированного сигнала полупроводникового лазерного автодина. Предложен метод определения амплитуды нановибраций, заключающийся в измерении отношения амплитуд основных спектральных составляющих автодинного сигнала при нановибрациях и при наложении дополнительных механических колебаний, с учетом уровня внешней оптической обратной связи. Экспериментально подтверждена возможность при таком методе измерений значительного повышения точности определения амплитуд нановибраций.
Поступила в редакцию: 21.02.2012
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2012, Volume 38, Issue 6, Pages 590–592
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785012060296
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, Е. О. Кащавцев, М. Ю. Калинкин, “Измерение амплитуды нановибраций с помощью полупроводникового лазерного автодина с учетом влияния обратной связи”, Письма в ЖТФ, 38:12 (2012), 81–86; Tech. Phys. Lett., 38:6 (2012), 590–592
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UsaSkrKas12}
\by Д.~А.~Усанов, А.~В.~Скрипаль, Е.~О.~Кащавцев, М.~Ю.~Калинкин
\paper Измерение амплитуды нановибраций с помощью полупроводникового лазерного автодина с учетом влияния обратной связи
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2012
\vol 38
\issue 12
\pages 81--86
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8889}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20327914}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2012
\vol 38
\issue 6
\pages 590--592
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785012060296}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8889
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i12/p81
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025