Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2012, том 38, выпуск 13, страницы 27–34 (Mi pjtf8894)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Применение алмазоподобных углеродных пленок для просветления кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра

Н. И. Клюйabc, А. И. Липтугаabc, В. Б. Лозинскийabc, А. Н. Лукьяновabc, А. П. Оксаничabc, В. А. Тербанabc

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Кременчугский государственный университет им. Михаила Остроградского, Украина
c ОАО "Силикон", Светловодск, Украина
PDF полного текста (630 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Проведено исследование влияния обработок в плазме различных газов и последующего осаждения алмазоподобных углеродных пленок (АУП) на пропускание кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра. Показано, что осаждение АУП толщиной 1–1.5 $\mu$m позволяет увеличить пропускание GaAs в диапазоне 4–15 $\mu$m, причем предварительная обработка в плазме H$^+$ или Ar$^+$ увеличивает оптическое пропускание структуры АУП-GaAs. Предложен механизм, объясняющий влияние плазменной обработки на оптическое пропускание полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра.
Поступила в редакцию: 07.03.2012
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2012, Volume 38, Issue 7, Pages 609–612
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501207005X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. И. Клюй, А. И. Липтуга, В. Б. Лозинский, А. Н. Лукьянов, А. П. Оксанич, В. А. Тербан, “Применение алмазоподобных углеродных пленок для просветления кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра”, Письма в ЖТФ, 38:13 (2012), 27–34; Tech. Phys. Lett., 38:7 (2012), 609–612
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KlyLipLoz12}
\by Н.~И.~Клюй, А.~И.~Липтуга, В.~Б.~Лозинский, А.~Н.~Лукьянов, А.~П.~Оксанич, В.~А.~Тербан
\paper Применение алмазоподобных углеродных пленок для просветления кристаллов полуизолирующего GaAs в ИК-области спектра
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2012
\vol 38
\issue 13
\pages 27--34
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf8894}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20327919}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2012
\vol 38
\issue 7
\pages 609--612
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501207005X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf8894
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v38/i13/p27
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025